首页 >SI7309DN-T1-GE3>规格书列表

抱歉:您搜索的 SI7309DN-T1-GE3 暂无相关数据

可以在线咨询客服为你深度寻找

详细参数

  • 型号:

    SI7309DN-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 8.0A 19.8W 115mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY/威世
25+
PPAK1212-8
32360
VISHAY/威世全新特价SI7309DN-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货
询价
VISHAY/威世
2021+
PowerPAK
9000
原装现货,随时欢迎询价
询价
VISHAY(威世)
24+
PowerPAK1212-8
9908
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
询价
VISHAY
24+
N/A
10000
只做原装,实单最低价支持
询价
VISHAY
2024+
N/A
70000
柒号只做原装 现货价秒杀全网
询价
VISHAY(威世)
23+
N/A
23500
最新到货,只做原装进口
询价
VISHAY(威世)
PowerPAK 1212-8
5090
全新原装正品现货可开票
询价
VISHAY/威世
24+
QFN8
10000
只有原装
询价
NK/南科功率
9420
DFN3X3-8
36520
国产南科平替供应大量
询价
VISHAY
24000
询价
更多SI7309DN-T1-GE3供应商 更新时间2025-12-5 20:24:00