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TMR7302-E	文件：646.64 Kbytes Page：9 Pages	IntegratedCurrentSensor Description TMR7302-Eisbasedontheopenloopintegratedcurrent sensorformeasuringDC,AC,pulsedcurrentandarbitrary waveformcurrentwithgalvanicisolationanditsinternal temperaturecompensationcircuitryprovidesexcellent performanceunderdifferentambienttemperatureranges.	MULTIDIMENSIONMultiDimension Technology Co.,Ltd. 多维科技江苏多维科技有限公司	MULTIDIMENSION
TN7302	文件：42.73 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
TSTS7302	文件：81.75 Kbytes Page：5 Pages	GaAsIREmittingDiodesinHermeticallySealedTO18Case Description TheTSTS730.seriesareinfraredemittingdiodesinstandardGaAstechnologyinahermeticallysealedTO-18package.Theirglasslensesprovideahighradiantintensitywithoutexternaloptics. Features •Highradiantintensity •Suitableforpulseoperation •Angleofhalfintens	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TX7302	文件：615.77 Kbytes Page：2 Pages	AddressableSounderStrobeBase FeaturesandBenefits •EN54-3compliance •Built-inMCUprocessoranddigital addressing •17tonesProgrammablesoundoutput •EncodingmodessuchasSingle-encoding Mode,Dual-encodingMode1andDual-encoding Mode2 •ProgrammableEvacuateor Pre-alarm/Evacuatesignal •8highlights	TANDAUK TANDA UK Limited.	TANDAUK
UM7302	文件：301.67 Kbytes Page：5 Pages	SWITCHING/ATTENUATORPINDIODES	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UM7302	文件：209.99 Kbytes Page：4 Pages	PINDIODE DESCRIPTION TheUM4300andUM7300seriescombineadiodechipofextremelythickintrinsicregionwithalowthermalresistanceconstruction.Thisresultsindiodesuniquelyapplicabletoverylowdistortionlinearattenuatorsandspecializedfunctions.TheUM4300series,withlargecross-section	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UM7302B	文件：2.81601 Mbytes Page：221 Pages	ProductChangeNotification	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
XRT7302	文件：131.67 Kbytes Page：2 Pages	T3/DS3/E3/STS-1TRANSFORMERS	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse

详细参数

型号：
SI7302DN
功能描述：
MOSFET N-CH 220V PWRPAK 1212-8
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
TrenchFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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