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SI7222DN-T1-GE3

Dual N-Channel 40 V (D-S) MOSFET

文件:573.36 Kbytes 页数:14 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI7232DN-T1-GE3

QFN

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SI7234DP

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上传:富凯科技(深圳)有限公司

SI7234DP-T1-GE3

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上传:深圳市力拓辉电子有限公司

SI7322DN-T1-GE3

VISHAY INTERTECHNOLOGY

上传:天津市博通航睿技术有限公司

VISHAY INTERTECHNOLOGY

详细参数

  • 型号:

    SI7222DN-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 40V 6.0A 17.8W 42mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SI7222DN-T1-GE3供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00