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SI7120DN-T1-GE3	文件：538.83 Kbytes Page：12 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeOptionAvailable •TrenchFET®PowerMOSFET •NewLowThermalResistance •PowerPAK®1212-8PackagewithLow1.07mmProfile •100RgTested APPLICATIONS •PrimarySideSwitch •SynchronousRectification	VishayVishay Siliconix 威世科技

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SI7120DN-T1-GE3

文件：538.83 Kbytes

Page：12 Pages

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES •Halogen-freeOptionAvailable •TrenchFET®PowerMOSFET •NewLowThermalResistance •PowerPAK®1212-8PackagewithLow1.07mmProfile •100RgTested APPLICATIONS •PrimarySideSwitch •SynchronousRectification

VishayVishay Siliconix

威世科技

详细参数

型号：
SI7120DN-T1-GE3
功能描述：
MOSFET 60V 10A 3.8W 19mohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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