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SI7119DN-T1-GE3

P-Channel 200-V (D-S) MOSFET

文件:196.21 Kbytes 页数:4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI7141DP-T1-GE3

DFN

VISHAY/威世

SI7148DP-T1-E3

QFN

VISHAY/威世

Si7155DP-T1-GE3

PAKSO

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

上传:深圳市盈慧通电子有限公司

SI7210-B-12-IM2

DFN8

SILICON

详细参数

  • 型号:

    SI7119DN-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 200V 3.8A 52W 1.05ohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SI7119DN-T1-GE3供应商 更新时间2025-12-1 19:22:00