| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
||||
|
3年
留言
|
VISHAYPOWERPAK1 |
12880 |
25+ |
原装,诚信经营 |
|||
|
9年
留言
|
VISHAY/威世DFN3.3*3.3 |
3000 |
23+ |
|
专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价格低 |
||
|
13年
留言
|
VISHAYQFN |
18000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
|
8年
留言
|
VISHAY/威世QFN8 |
3000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
|||
|
4年
留言
|
VISHAYQFN8 |
8540 |
24+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
|
2年
留言
|
VISHAY |
6000 |
18+ |
PowerPAK 1212-8 Single |
|||
|
13年
留言
|
VISHAYQFN8 |
9500 |
25+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
|
4年
留言
|
VISHAY/威世QFN |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
|
17年
留言
|
VISHAY原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
|
1年
留言
|
VISHAYQFN |
140 |
26+ |
电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价! |
|||
|
3年
留言
|
VISHAYQFN |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保证 |
|||
|
1年
留言
|
VISHAYQFN |
140 |
26+ |
原厂渠道 可含税出货,支持一站式配单 |
|||
|
6年
留言
|
VISHAYQFN |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
|
8年
留言
|
VISHYQFN |
22800 |
19+ |
||||
|
13年
留言
|
VISHAYQFN |
6000 |
2016+ |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
|||
|
15年
留言
|
VISHAY/威世POWERPA |
3800 |
26+ |
大批量供应优势库存热卖 |
|||
|
11年
留言
|
500000 |
25+ |
行业低价,代理渠道 |
||||
|
12年
留言
|
VishayNA |
3000 |
24+ |
进口原装正品优势供应 |
|||
|
13年
留言
|
Vishay(威世)NA |
20094 |
26+ |
|
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
SI7114采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI7114图片
SI7114ADN-T1-GE3价格
SI7114ADN-T1-GE3价格:¥2.0547品牌:Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI7114ADN-T1-GE3多少钱,想知道SI7114ADN-T1-GE3价格是多少?参考价:¥2.0547。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI7114ADN-T1-GE3批发价格及采购报价,SI7114ADN-T1-GE3销售排行榜及行情走势,SI7114ADN-T1-GE3报价。
SI7114DN-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多Si7114制造商:RICHTEK 制造商全称:Richtek Technology Corporation 功能描述:6A, 24V, 600kHz Step-Down Converter with Synchronous Gate Driver
SI7114ADN制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V(D-S) MOSFET
SI7114ADN-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 35A 39W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7114DN制造商:VAISH 制造商全称:VAISH 功能描述:N-Channel 30-V(D-S) Fast Switching MOSFET
SI7114DN-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 18.3A 3.8W 7.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7114DN-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 18.3A 3.8W 7.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube


























