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SI7112DN-T1-GE3

VISHAY
QFN8

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

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SI7112DN-T1-GE3

VISHAY
QFN8

TFUNKVishay Telefunken

威世威世(VISHAY)集团

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SI7112DN-T1-GE3

VISHAY
QFN8

BARRY

Vishay Barry

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详细参数

  • 型号:

    SI7112DN-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 17.8A 3.8W 7.5mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY/威世
25+
DFN3.3X3.3
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