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SI7108DN-T1-GE3

VISHAY
QFN8

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

相关企业:柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

SI7108DN-T1-GE3

VISHAY
QFN8

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

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SI7108DN-T1-GE3

VISHAY
QFN8

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

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SI7108DN-T1-GE3

VISHAY
QFN8

TFUNKVishay Telefunken

威世威世(VISHAY)集团

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SI7108DN-T1-GE3

VISHAY
QFN8

BARRY

Vishay Barry

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详细参数

  • 型号:

    SI7108DN-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 22A 3.8W 4.9mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY
23+
QFN
12000
全新原装,优势现货
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VISHAY
19+
QFN8
30000
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VISHAY/威世
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QFN8
8950
BOM配单专家,发货快,价格低
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VISHAY/威世
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QFN-8
9000
原装现货,随时欢迎询价
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60000
绝对原装正品现货,假一罚十
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PowerPAK1212-8
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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35000
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更多SI7108DN-T1-GE3供应商 更新时间2025-5-27 17:40:00