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SI7107DN-T1-GE3

VISHAY
QFN

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

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SI7107DN-T1-GE3

VISHAY
QFN

TFUNKVishay Telefunken

威世威世(VISHAY)集团

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SI7107DN-T1-GE3

VISHAY
QFN

BARRY

Vishay Barry

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详细参数

  • 型号:

    SI7107DN-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 15.3A 3.8W 10.8mohm @ 4.5V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NK/南科功率
9420
DFN3X3-8
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国产南科平替供应大量
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更多SI7107DN-T1-GE3供应商 更新时间2025-5-28 14:01:00