选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYQFN8 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYQFN8 |
9500 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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VISHAY/威世QFN8 |
25000 |
23+ |
只做进口原装假一罚百 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世DFN8 |
3000 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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N/Aa |
7500 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世QFN |
3333 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY(威世)PowerPAK1212-8 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAYDFN8 |
3000 |
2022+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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Vishay(威世)PowerPAK? 1212-8 |
60695 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市广弘电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世DFN3X3-8 |
5500 |
20+ |
代理库存,房间现货,有挂就是现货 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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VISHAY/威世DFN33-8 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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Vishay SiliconixPowerPAK? 1212-8 |
30000 |
24+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市博浩通科技有限公司15年
留言
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VISHAYQFN |
12000 |
23+ |
全新原装,优势现货 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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4819 |
21+ |
原装现货 支持实单 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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VISHAY/威世QFN8 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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原厂品牌QFN |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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VISHAYDFN |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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SILICONIXPowerPak1212-8 |
6010 |
17+ |
只做原装正品 |
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深圳市星佑电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世QFN |
10000 |
21+ |
全新原装 公司现货 价格优 |
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SI7106图片
SI7106DN-T1-E3价格
SI7106DN-T1-E3价格:¥2.2547品牌:Vishay Siliconix
生产厂家品牌为Vishay Siliconix的SI7106DN-T1-E3多少钱,想知道SI7106DN-T1-E3价格是多少?参考价:¥2.2547。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI7106DN-T1-E3批发价格及采购报价,SI7106DN-T1-E3销售排行榜及行情走势,SI7106DN-T1-E3报价。
SI7106DN-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI7106DN制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V(D-S) Fast Switching MOSFET
SI7106DN-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 19.5A 0.0062Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7106DN-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 19.5A 3.8W 6.2mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube