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深圳市卓越微芯电子有限公司

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VISHAYTSSOP8

18600

25+

百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

深圳市昂芯微科技有限公司

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MICROCHIP/微芯MSOP10

8800

23+

只做原装正品现货

深圳市凌旭科技有限公司

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VISHAYTSSOP8

6000

2016+

只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!

深圳市一线半导体有限公司

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自己现货

深圳市能创芯电子科技有限公司

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SITSSOP

3000

23+

原装正品假一罚百!可开增票!

齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司

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VISHAYIC

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原装正品,假一罚十

中天科工半导体(深圳)有限公司

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SI6969DQ-T1-E3

VISHAY/威世MSOP-8

32360

25+

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VISHAY/威世全新特价SI6969DQ-T1-E3即刻询购立享优惠#长期有货

深圳市一线半导体有限公司

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VISHAYSOP-8

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深圳市博中泰实业有限公司

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VISHAY/PBFSSOP8

90000

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全新原装现货

深圳市宇创芯科技有限公司

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VISHAY/威世TSSOP8

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原装现货,优势供应,支持实单!

深圳市东来宝电子科技有限公司

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SILICON/芯科MSOP

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郑重承诺只做原装进口现货

深圳市天芯威科技有限公司

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VISHAYMSOP-8

25836

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新到现货,只做全新原装正品

深圳市安富世纪电子有限公司

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VISHAY/威世TSSOP8

50000

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全新原装正品现货,支持订货

深圳市华来深电子有限公司

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VISHAYTSSOP8

8650

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受权代理!全新原装现货特价热卖!

深圳市华来深电子有限公司

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VISHAYMSOP-8

8560

23+

受权代理!全新原装现货特价热卖!

深圳市勤思达科技有限公司

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VISHAYMSOP-8

5000

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深圳市佳鑫美电子科技有限公司

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SITSSOP8

2987

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只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电!

深圳市美思瑞电子科技有限公司

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VISHAY/威世TSSOP8

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22+

现货,原厂原装假一罚十!

深圳市科恒伟业电子有限公司

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VISHAYMSOP-8

9850

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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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SILICONIX

11200

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原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO

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SI6969BDQ制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 1.8-V(G-S) MOSFET

SI6969BDQ-T1功能描述:MOSFET 12V 4.6A 0.83W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI6969BDQ-T1-E3功能描述:MOSFET 12V 4.6A 0.83W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI6969BDQ-T1-GE3功能描述:MOSFET 12V 4.6A 1.14W 30mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI6969DQ制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 1.8-V(G-S) MOSFET

SI6969DQ-T1功能描述:MOSFET 12V 4.6A 1.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI6969DQ-T1-E3功能描述:MOSFET 12V 4.6A 1.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI6969DQ-T1-GE3功能描述:MOSFET 12V 4.6A 1.1W 34mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube