| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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12年
留言
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VISHAYTSSOP8 |
18600 |
25+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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3年
留言
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MICROCHIP/微芯MSOP10 |
8800 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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13年
留言
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VISHAYTSSOP8 |
6000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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17年
留言
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3000 |
24+ |
自己现货 |
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8年
留言
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SITSSOP |
3000 |
23+ |
原装正品假一罚百!可开增票! |
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10年
留言
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VISHAYIC |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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15年
留言
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VISHAY/威世MSOP-8 |
32360 |
25+ |
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VISHAY/威世全新特价SI6969DQ-T1-E3即刻询购立享优惠#长期有货 |
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17年
留言
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VISHAYSOP-8 |
2500 |
24+ |
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3年
留言
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VISHAY/PBFSSOP8 |
90000 |
25+ |
全新原装现货 |
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11年
留言
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VISHAY/威世TSSOP8 |
9600 |
24+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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13年
留言
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SILICON/芯科MSOP |
37279 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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4年
留言
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VISHAYMSOP-8 |
25836 |
24+ |
新到现货,只做全新原装正品 |
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6年
留言
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VISHAY/威世TSSOP8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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13年
留言
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VISHAYTSSOP8 |
8650 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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13年
留言
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VISHAYMSOP-8 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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12年
留言
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VISHAYMSOP-8 |
5000 |
24+ |
全新原装正品,现货销售 |
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13年
留言
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SITSSOP8 |
2987 |
25+ |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
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12年
留言
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VISHAY/威世TSSOP8 |
8517 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
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12年
留言
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VISHAYMSOP-8 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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SILICONIX |
11200 |
23+ |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
SI6969采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI6969图片
SI6969EDQ-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多SI6969BDQ制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 1.8-V(G-S) MOSFET
SI6969BDQ-T1功能描述:MOSFET 12V 4.6A 0.83W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6969BDQ-T1-E3功能描述:MOSFET 12V 4.6A 0.83W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6969BDQ-T1-GE3功能描述:MOSFET 12V 4.6A 1.14W 30mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6969DQ制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 1.8-V(G-S) MOSFET
SI6969DQ-T1功能描述:MOSFET 12V 4.6A 1.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6969DQ-T1-E3功能描述:MOSFET 12V 4.6A 1.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6969DQ-T1-GE3功能描述:MOSFET 12V 4.6A 1.1W 34mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
































