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SI6968BEDQ_V01

Dual N-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection

FEATURES • TrenchFET® power MOSFETs • ESD protected: 3000 V • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note • *(Pb)-containing terminations are not RoHS-compliant. Exemptions may apply

文件:256.69 Kbytes 页数:11 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI7006-A20-IM1R

DFN

SILICON

SI7020-A20-GM1R

DFN

SILICON

SI7020-A20-GM1R

6DFN

SILICON LABS/芯科

上传:深圳庞田科技有限公司

SILICON LABS/芯科

SI7020-A20-GMR无线发射

QFN

SILICON LABS/芯科

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SILICON LABS/芯科

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更多SI6968BEDQ_V01供应商 更新时间2025-11-30 16:38:00