| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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12年
留言
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VISHAYTSOP8 |
9500 |
25+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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12年
留言
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VISHAYTSOP8 |
18600 |
25+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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12年
留言
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SILIMSOP8 |
2550 |
02+ |
全新原装进口自己库存优势 |
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5年
留言
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SILI |
60000 |
2021+ |
原装现货,欢迎询价 |
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4年
留言
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VISHAYTSSOP8 |
12000 |
24+ |
原装正品 假一罚十 可拆样 |
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11年
留言
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FAIRCHILD/仙童TSSOP8 |
6540 |
2450+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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11年
留言
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VISHAYTSSOP8 |
30000 |
25+ |
代理全新原装现货 价格优势 |
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12年
留言
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SILICONIXVISHAYNA |
9850 |
2450+ |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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13年
留言
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SILICONIXTSSOP-8 |
4500 |
25+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
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13年
留言
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VISHAYTSSOP8 |
2568 |
25+ |
原装优势!绝对公司现货 |
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6年
留言
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SILICONIXVISHAYNA |
20000 |
21+ |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
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15年
留言
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SILTSOP-8 |
10200 |
25+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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14年
留言
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VISHAY原厂封装 |
19567 |
26+ |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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18年
留言
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SI6926ADQ-T1-E3314 |
314 |
25+ |
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4年
留言
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VISHAY(威世)TSSOP-8 |
5000 |
25+ |
只做原厂原装 可含税 欢迎咨询 |
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3年
留言
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SILICONIXTSSOP-8 |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保证 |
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6年
留言
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VISHAY-威世车规-元器件 |
36218 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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6年
留言
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VISHAY-威世TSSOP-8 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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14年
留言
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VISHAY/威世MSOP-8 |
11809 |
2403+ |
原装现货!欢迎随时咨询! |
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SI6926图片
SI6926ADQ-T1-E3价格
SI6926ADQ-T1-E3价格:¥1.6951品牌:Vishay
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SI6926AEDQ-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
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SI6926ADQ-T1-E3功能描述:MOSFET DUAL N-CH 2.5V(G-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6926ADQ-T1-GE3功能描述:MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 30mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6926AEDQ-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 4.5A 0.83W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6926AEDQ-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 4.5A 1.0W 30mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6926DQ功能描述:MOSFET TSSOP8 DUAL NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6926DQ_Q功能描述:MOSFET TSSOP8 DUAL NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

































