选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)TSSOP-8 |
9555 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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SILICONIXTSSOP8 |
1378 |
0312+ |
全新原装绝对自己公司现货 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYTSOP8 |
9500 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYTSOP8 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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VISHAY/威世TSSOP8 |
8950 |
2024+原装现货 |
BOM配单专家,发货快,价格低 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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SILTSSOP-8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世TSSOP-8 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司11年
留言
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SILICONTSSOP-8 |
6523 |
2016+ |
房间原装进口现货假一赔十 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世TSSOP8 |
880000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司7年
留言
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VISHAY/威世TSSOP-8 |
9852 |
22+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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SILICONIXTSSOP-8 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)TSSOP8 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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VISHAY/威世TSSOP8 |
880000 |
03+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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SILICONIXMSOP8 |
880000 |
01+03+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市富诚威科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TSSOP8 |
3255 |
22+ |
强势库存!原装现货! |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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VISHYTSSOP-8P |
4897 |
22+ |
绝对原装!现货热卖! |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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VISHAYSOP-8 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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SILICONIXTSSOP-8 |
6010 |
17+ |
只做原装正品 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世TSSOP8 |
12245 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
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深圳市博浩通科技有限公司15年
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VISHAY8-TSSOP |
6680 |
23+ |
全新原装优势 |
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SI6467图片
SI6467BDQ-T1-GE3价格
SI6467BDQ-T1-GE3价格:¥3.9036品牌:VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI6467BDQ-T1-GE3多少钱,想知道SI6467BDQ-T1-GE3价格是多少?参考价:¥3.9036。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI6467BDQ-T1-GE3批发价格及采购报价,SI6467BDQ-T1-GE3销售排行榜及行情走势,SI6467BDQ-T1-GE3报价。
SI6467BDQ-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI6467BDQ制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.8-V(G-S) MOSFET
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SI6467BDQ-T1功能描述:MOSFET 12V 8.0A 1.05W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6467BDQ-T1-E3功能描述:MOSFET 12V 8A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6467BDQ-T1-GE3功能描述:MOSFET 12V 8.0A 1.5W 12.5mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6467DQ功能描述:MOSFET TSSOP8 SINGLE PCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6467DQ-T1功能描述:MOSFET 12V 8A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6467DQ-T1-E3功能描述:MOSFET 12V 8A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube