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SI6463DQ	文件：97.67 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET GeneralDescription ThisP-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V–12V). Features •–8.8A,–20V.RDS(ON)=	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SI6463BDQ	文件：46.21 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI6463BDQ	文件：199.8 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI6463BDQ_05	文件：199.8 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
6463	文件：70.5 Kbytes Page：3 Pages	CustomerSpecification	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线	ALPHAWIRE
BA6463FP-Y	文件：104.93 Kbytes Page：7 Pages	3-phasemotordriver TheBA6463FP-Yisamotordriverdevelopedforcylinders,whichaconstantpowersupplyof5V,andthestartandstoppinswhichopensoutputareincorporated. Features 1)3-phase,full-wave,pseudo-lineardrivesystem. 2)Internalconstantvoltagepowersupply.(5V) 3)Internalthermalshutdo	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
IN6463	文件：80.1 Kbytes Page：1 Pages	HIGHSURGECAPACITYPROVIDESTRANSIENTPROTECTIONFORMOSTCRITICALCIRCUITS. FEATURES •HIGHSURGECAPACITYPROVIDESTRANSIENTPROTECTIONFORMOSTCRITICALCIRCUITS. •TRIPLELAYERPASSIVATION. •SUBMINIATURE. •METALLURGICAILYBONDED. •VOIDLESSHERMETICALLYSEALEDGLASSPACKAGE. •DYNAMICIMPEDANCEANDREVERSELEAKAGELOWESTAVAILABLE.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MAX6463	文件：153.98 Kbytes Page：10 Pages	Ultra-Low-PowerVoltageDetectorsandUPSupervisoryCircuits	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX6463UK	文件：183.39 Kbytes Page：10 Pages	Ultra-Low-PowerVoltageDetectorsanduPSupervisoryCircuits	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX6463UR	文件：183.39 Kbytes Page：10 Pages	Ultra-Low-PowerVoltageDetectorsanduPSupervisoryCircuits	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX6463XR	文件：183.39 Kbytes Page：10 Pages	Ultra-Low-PowerVoltageDetectorsanduPSupervisoryCircuits	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
N6463B	文件：4.3135 Mbytes Page：11 Pages	N6463AThunderboltTransmitter	KEYSIGHTKeysight Technologies 德科技（中国德科技（中国）有限公司	KEYSIGHT
NJU6463	文件：1.39412 Mbytes Page：42 Pages	16-CHARACTER3-LINEDOTMATRIXLCDCONTROLLERDRIVER????	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NJU6463CH	文件：1.39412 Mbytes Page：42 Pages	16-CHARACTER3-LINEDOTMATRIXLCDCONTROLLERDRIVER????	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NTQS6463	文件：66.64 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PT6463	文件：214.41 Kbytes Page：12 Pages	14AOutputCurrent	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
PT6463	文件：192.07 Kbytes Page：10 Pages	14-A5-VInputAdjustableIntegratedSwitchingRegulator	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

详细参数

型号：
SI6463
功能描述：
MOSFET TSSOP8 SINGLE PCH
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	SI6463DQ	onsemi(安森美)	23+	TSSOP-8	9555	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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深圳市威尔健半导体有限公司	SI6463DQ	SI	23+	TSSOP8	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价

更多SI6463供应商更新时间2024-9-24 15:14:00

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