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SI6459BDQ-T1-GE3

SI6459BDQ-T1-GE3

SI6459BDQ-T1-GE3

详细参数

  • 型号:

    SI6459BDQ-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 2.7A 1.5W 115mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY
23+
8-TSSOP
6680
全新原装优势
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Vishay/Siliconix
24+
8-TSSOP
7500
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VISHAY/威世
22+
TSSOP-8
20000
保证原装正品,假一陪十
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VISHAY
1503+
SSOP-8
3000
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VISHAY/威世
22+
TSSOP-8
100000
代理渠道/只做原装/可含税
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Vishay Siliconix
2022+
8-TSSOP(0.173
38550
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VISHAY/威世
22+
8-TSSOP
25000
只有原装绝对原装,支持BOM配单!
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VISHAY/威世
22+
8-TSSOP
25000
只有原装原装,支持BOM配单
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VIS
23+
MSOP8
5000
原装正品,假一罚十
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VIS
17+
MSOP8
6200
100%原装正品现货
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更多SI6459BDQ-T1-GE3供应商 更新时间2025-6-10 18:10:00