选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYTSSOP8 |
16636 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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VISHAY/威世MSOP8 |
8550 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世MSOP8 |
5890 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
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VISHAY/威世TSSOP-8 |
6900 |
2138+ |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
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VISMSOP |
4536 |
23+ |
原厂原装正品 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世MSOP8 |
5890 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
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VISHAY/威世TSSOP-8 |
25000 |
23+ |
只做进口原装假一罚百 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
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新 |
3000 |
自己现货 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
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FAIRCHILDNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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VISHAYTSSOP8 |
50000 |
16+ |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYTSSOP-8 |
3500 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VMSOP8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世TSSOP-8 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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FSCMSOP8 |
260 |
1821+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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VISHAY/威世TSSOP8 |
10880 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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VISMSOP8 |
20000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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SILICONIXTSSOP-8 |
6010 |
17+ |
只做原装正品 |
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鑫勃源(上海北京 青岛)有限公司10年
留言
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SILMSOP |
18000 |
23+ |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世MSOP8 |
880000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世TSSOP |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
SI6435采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI6435图片
SI6435ADQ-T1-E3价格
SI6435ADQ-T1-E3价格:¥4.0382品牌:VISHAY
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SI6435DQ-T1中文资料Alldatasheet PDF
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SI6435ADQ-T1功能描述:MOSFET 30V 5.5A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6435ADQ-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 5.5A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6435ADQ-T1-E3/BKN制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET; TSSOP8 Single 30V P-CH, 4.5V Rated
SI6435ADQ-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 5.5A 1.5W 30mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6435DQ功能描述:MOSFET 30V/25V PCh MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6435DQ-T1功能描述:MOSFET 30V 4.5A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6435DQ-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 4.5A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube