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SI6415DQ	文件：108.75 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel PowerTrench MOSFET General Description This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (–4.5V – 20V). Features • –6.5 A, –30 V RDS(ON) = 19 mΩ 文件：108.75 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
SI6415DQ	文件：196.68 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFETs 文件：196.68 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SI6415DQ	文件：204.61 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFETs 文件：204.61 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SI6415DQ_V01	文件：204.61 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFETs 文件：204.61 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SI6415DQ-T1	文件：201.85 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFETs 文件：201.85 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SI6415DQ	文件：206.26 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：206.26 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SI6415DQ_17	文件：206.26 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：206.26 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SI6415DQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V P-Channel PowerTrench MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
SI6415
功能描述：
MOSFET 30V/25V PCh MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多SI6415供应商更新时间2025-12-14 9:15:00

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