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SI6410DQ

SITSSOP8

60

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SI6410DQ

SITSSOP8

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23+

全新原装正品现货,支持订货

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SI6410DQ

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深圳市澳亿芯电子科技有限公司

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SI6410DQ

SITSSOP8

10000

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深圳市创新迹电子有限公司

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SI6410DQ

SITSSOP8

20000

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深圳市安富世纪电子有限公司

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SI6410DQ

SITSSOP8

50000

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全新原装正品现货,支持订货

深圳市川科科技有限公司

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SI6410DQ

VISHAY-威世MSOP-8

78800

24+25+/26+27+
1
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1000
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司

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SI6410DQ-T1

SILICONIXTSSOP8

11200

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原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO

深圳市威尔健半导体有限公司

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SI6410DQ-T1-GE3

VISHAY/威世TSSOP-8

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深圳市佳芯扬电子有限公司

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SI6410DQ-T1-GE3

VISHAY/威世TSSOP-8

6000

26+

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SI6410DQ-T1-GE3

VISHAY/威世TSSOP-8

50000

23+

全新原装正品现货,支持订货

深圳市毅创腾电子科技有限公司

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SI6410DQ-T1

SILICONIXTSSOP8

155

23+

专营高频管模块,全新原装!

深圳市芯为科技有限公司

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SI6410DQ-T1-GE3

VISHAY/威世8-TSSOP

50000

26+

芯为深仓现货

深圳市河锋鑫科技有限公司

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SI6410DQT1GE3

Vishay Siliconix8TSSOP

9000

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原厂渠道,现货配单

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SI6410DQ-T1

3000

24+

自己现货

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SI6410DQ-T1-E3

VISHAYSOP8

45000

25+

普通

京海半导体(深圳)有限公司

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SI6410DQ-T1-GE3

VISHAY/威世通TSSOP-8

10000

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SI6410DQ-T1-GE3

VISHAYTSSOP-8

12800

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深圳市信科微科技有限公司

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SI6410DQ-T1-GE3

VISHAYTSSOP-8

1275

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SI6410DQ功能描述:MOSFET 30V/20V NCh MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI6410DQ-T1功能描述:MOSFET 30V 7.8A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI6410DQ-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 7.8A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI6410DQ-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 7.8A 1.5W 14mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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