| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
|
VISHAYN/A |
19567 |
23+ |
||||
|
深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
|
VISHAY |
5000 |
有部份现货 |
||||
|
深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
|
VISHAYTSSOP8 |
3827 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
|
深圳市澳亿芯电子科技有限公司8年
留言
|
VISHAYTSSOP-8 |
32500 |
1709+ |
普通 |
|||
|
北京逸博微科技有限公司13年
留言
|
VISHAY |
400 |
20+ |
全新现货热卖中欢迎查询 |
|||
|
深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
|
VISHAY/威世TSSOP-8 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
|
深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
|
VISHAYMSOP8 |
3000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
|
深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
|
TSSOP-8NA |
15659 |
23+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
|
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
|
VISHAY/威世TSSOP8 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
||||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
|
VISHAYTSSOP8 |
6528 |
2016+ |
只做原厂原装现货!终端客户个别型号可以免费送样品! |
|||
|
深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
|
VISHAYTSSOP-8 |
85 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
|
中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
|
VISHAYTSSOP-8 |
699839 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
VISHAY/威世NA/ |
3335 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
|
深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
|
VISHAY-威世TSSOP-8 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
|
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
Vishay Siliconix8TSSOP |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
|||
|
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
|
VISHAYTSSOP-8 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
|||
|
深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
|
VIHSAY/SILICONIXTSSOP-8 |
21200 |
2008++ |
新进库存/原装 |
|||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
VISHAY/威世8-TSSOP |
25000 |
22+ |
只有原装原装,支持BOM配单 |
|||
|
天津市博通航睿技术有限公司1年
留言
|
VISHAYTSSOP8 |
2200 |
01+ |
全新原装 实单必成 |
|||
|
深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
|
VISHAYTSSOP-8 |
85 |
13+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
SI6404DQ采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI6404DQ图片
SI6404DQ-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI6404DQ制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V(D-S) MOSFET
SI6404DQ-T1功能描述:MOSFET 30V 11A 1.75W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6404DQ-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 11A 1.75W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6404DQ-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 11A 1.75W 9.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
