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SI5935DC-T1-E3

Dual P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET

文件:233.58 Kbytes 页数:10 Pages

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详细参数

  • 型号:

    SI5935DC-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET DUAL P-CH 1.8V(G-S)

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SI5935DC-T1-E3供应商 更新时间2026-1-26 14:14:00