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Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：97.59 Kbytes 页数：6 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | ||
Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：236.29 Kbytes 页数：10 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | ||
Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：1.10529 Mbytes 页数：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：236.29 Kbytes 页数：10 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay |
详细参数
- 型号：
SI5908DC-T1
- 功能描述：
MOSFET N-CH 20V 1206-8
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列：
TrenchFET®
- 产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
- 包装：
Digi-Reel®
- 产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
2025+ |
1206-8 |
5000 |
原装进口,免费送样品! |
询价 | ||
VISHAY |
24+/25+ |
CHIPFET-8 |
6000 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | ||
VIS |
23+ |
ECH8 |
27000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
25+ |
SOT23-8 |
9800 |
全新原装现货,假一赔十 |
询价 | ||
VISHAY |
25+ |
1206-8 |
3675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
Vishay |
23+ |
na |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
SOT23-6 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VISHAY |
21+ |
SOT23-8 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
Vishay(威世) |
2021/2022+ |
标准封装 |
6500 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 |
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