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SI5855DC-T1-E3中文资料威世科技数据手册PDF规格书

SI5855DC-T1-E3
厂商型号

SI5855DC-T1-E3

功能描述

P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET with Schottky Diode

文件大小

188.37 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

VISHAY威世科技

中文名称

威世科技半导体官网

原厂标识
VISHAY
数据手册

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更新时间

2025-8-3 23:00:00

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产品属性

  • 型号:

    SI5855DC-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 3.6A 2.1W 110mohm @ 4.5V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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