| 订购数量 | 价格 |
|---|---|
| 1+ |
首页>SI5853DDC-T1-E3>芯片详情
SI5853DDC-T1-E3_VISHAY/威世_MOSFET 20V 4.0A 3.1W 105mohm @ 4.5V柯尔基电子
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
SI5853DDC-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 20V 4.0A 3.1W 105mohm @ 4.5V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商
相近型号
- SI5855CDC1-E3
- SI5853DC-TI-E3
- SI5855CDCT1E3
- SI5855CDC-T1-E3
- SI5853DC-T1-GE3
- SI5855CDC-T1-GE3
- SI5853DC-T1-E3IC
- SI5855DC
- SI5853DC-T1-E3/VIS
- SI5855DC1-E3
- SI5853DC-T1-E3
- SI5855DC-T1
- SI5853DCT1E3
- SI5855DCT1E3
- SI5853DC-T1-E
- SI5855DC-T1-E3
- SI5853DC-T1
- SI5855DC-T1-E3IC
- SI5853DCB/CJ5853DCB
- SI5853DC/CJ5853DC
- SI5855DC-T1-GE3
- SI5853DC
- SI5853CD-T1-E3
- SI5853CDC-T1-GE3
- SI5856DC
- SI5856DCT1
- SI5853CDC-T1-E3IC
- SI5856DC-T1
- SI5853CDC-T1-E3
- SI5856DCT1E3
- SI5853CDCT1E3
- SI5856DC-T1-E3
- SI5853CDC-T1-E
- SI5856DC-T1-E3IC
- SI5853CDC1-E3
- SI5856DC-T1-GE3
- SI5853CDC
- SI5853
- SI5857DUT1E3
- SI584
- SI5857DU-T1-E3
- SI582DY
- SI5857DUT1GE3
- SI582DJ
- SI5857DU-T1-GE3
- SI581DY
- SI5858DUT1E3
- SI581DJ
- SI5858DU-T1-E3
- SI5810J



