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SI5519DU-T1-GE3中文资料PDF规格书
产品属性
- 型号:
SI5519DU-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET N/P-Ch ChipFET 20V 36/64mohm @ 4.5V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SILICONIX |
02+ |
SOIC-8 |
351 |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
询价 | ||
SILICONIX |
2016+ |
SOIC-8 |
6528 |
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询价 | ||
SI |
22+ |
TSSOP-8 |
2987 |
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询价 | ||
BEL-贝尔 |
24+25+/26+27+ |
RJ45.连接器 |
12680 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
POWERPAK |
25000 |
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询价 | ||
2406+ |
1850 |
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SILICONIX |
22+ |
SOIC-8 |
3000 |
原装现货库存.价格优势 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
1925+ |
PowerPAKChipFet |
45000 |
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询价 | ||
VISHAY |
23+ |
DFN |
6680 |
全新原装优势 |
询价 | ||
SILICONIX |
02+ |
SOIC-8 |
6000 |
绝对原装自己现货 |
询价 |