选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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VISHAYSOP8 |
9850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYSOP8 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
5980 |
2021+ |
只做原装,优势渠道,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAYSOP8 |
4000 |
2022+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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22240 |
23+ |
全新原装,有询必回 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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61874 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世NA |
6500 |
22+ |
只做原装正品现货!假一赔十! |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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VISHAYSOP-8P |
4500 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
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上海鑫科润电子科技有限公司8年
留言
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VISHAYSOP-8P |
1780 |
2005 |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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VISHAYBGA |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市一线半导体有限公司15年
留言
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VISHAYSOP-8P |
1780 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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VISHAYSOP8 |
96580 |
23+24 |
主营:存储.逻辑.放大.电源.接口.驱动.充电. 功放IC. |
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深圳市云迪科技有限公司7年
留言
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VISHAYSOP |
10000 |
22+ |
原装正品优势现货供应 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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VISHAYSOP8 |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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艾睿国际(香港)有限公司2年
留言
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VISHAY/威世SMD |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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VISHAY/威世NA |
10500 |
22+ |
只有原装 低价 实单必成 |
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深圳市保之丰科技有限公司2年
留言
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VISHAYSOP8 |
560000 |
21+ |
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深圳市晴轩时代电子有限公司6年
留言
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VISHAYSOP8 |
407 |
21+ |
原装现货。假一赔十 |
SI4953ADY-T1采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI4953ADY-T1图片
SI4953ADY-T1-GE3价格
SI4953ADY-T1-GE3价格:¥2.3407品牌:Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI4953ADY-T1-GE3多少钱,想知道SI4953ADY-T1-GE3价格是多少?参考价:¥2.3407。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI4953ADY-T1-GE3批发价格及采购报价,SI4953ADY-T1-GE3销售排行榜及行情走势,SI4953ADY-T1-GE3报价。
SI4953ADY-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4953ADY-T1功能描述:MOSFET 30V 4.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4953ADY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 4.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4953ADY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 3.9A 2.0W 53mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube