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SI4946BEY-T1-GE3	文件：3.57262 Mbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL FEATURES ● Vos-60V,ID=6A ● RDS(ON) 文件：3.57262 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
SI4946BEY-T1-E3	文件：1.08982 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：1.08982 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
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详细参数

型号：
SI4946BEY-T1
功能描述：
MOSFET 60V 6.5A 3.7W 41mohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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