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SI4931DY-T1-E3中文资料威世科技数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
SI4931DY-T1-E3
- 功能描述：
MOSFET 12V 8.9A 1.1W
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
30000 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
SOP8 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
100000 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
SOP8 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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VISHAY |
11+ |
SOP8 |
82 |
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Vishay(威世) |
23+ |
NA |
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VISHAY |
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SOP8 |
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Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
11800 |
询价 | |||
VISHAY |
23+ |
SOP8 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
Vishay Siliconix |
25+ |
8-SOIC(0.154 3.90mm 宽) |
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