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SI4923DY-T1-E3

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VISHAY/威世SOP-8

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SI4923DYT1E3

Vishay Siliconix8SO

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原厂渠道,现货配单

深圳市科恒伟业电子有限公司

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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深圳市创新迹电子有限公司

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深圳市川科科技有限公司

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VISHAYSOP8

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SI4923DY-T1功能描述:MOSFET 30V 8.3A 1.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4923DY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 8.3A 2.0W 21mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4923DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 8.3A 2.0W 21mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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