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SI4900DY-T1-E3_VB_MOSFET 60V 5.3A 3.1W京海四部

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量 价格
1+
  • 厂家型号：

    SI4900DY-T1-E3

  • 产品分类：

    IC芯片

  • 生产厂商：

    VB

  • 库存数量：

    10000

  • 产品封装：

    SO-8

  • 生产批号：

    21+

  • 库存类型：

    常用库存

  • 更新时间：

    2025-11-19 10:11:00

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原厂料号：SI4900DY-T1-E3品牌：VB

原装现货假一罚十

  • 芯片型号：

    SI4900DY-T1-E3

  • 规格书：

    下载

  • 企业简称：

    VBSEMI【微碧半导体】详情

  • 厂商全称：

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名称：

    微碧半导体（台湾）有限公司

  • 内容页数：

    9 页

  • 文件大小：

    1089.01 kb

  • 资料说明：

    Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号：

    SI4900DY-T1-E3

  • 功能描述：

    MOSFET 60V 5.3A 3.1W

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性：

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压：

    650 V

  • 闸/源击穿电压：

    25 V

  • 漏极连续电流：

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安装风格：

    Through Hole

  • 封装/箱体：

    Max247

  • 封装：

    Tube

供应商

  • 企业：

    京海半导体(深圳)有限公司

  • 商铺：

    进入商铺留言

  • 联系人：

    李先生★★原厂授权一级分销★★

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    18948176968

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    深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海大厦C栋706

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