| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
6年
留言
|
VISHAY/威世SOP |
13800 |
25+ |
原装,请咨询 |
|||
|
5年
留言
|
VISHAY/威世SOP |
98900 |
25+ |
原厂原装正品现货!! |
|||
|
VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
||||
|
13年
留言
|
VISHAYSOP8 |
9750 |
24+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
|||
|
7年
留言
|
VISHAY/威世SOP8 |
18000 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
|||
|
13年
留言
|
VISHAYSOP8 |
99500 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
|
7年
留言
|
onsemi(安森美)- |
12421 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
|
3年
留言
|
VISHAY/威世SOP-8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
|
13年
留言
|
SHARPSOP8 |
257000 |
ROHS全新原装 |
东芝半导体QQ350053121正纳全系列代理经销 |
|||
|
PHISOP-8 |
11200 |
23+ |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
||||
|
11年
留言
|
SILICONSOP |
8850 |
2450+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
|
10年
留言
|
PHISOP8 |
12800 |
23+ |
公司只有原装 欢迎来电咨询。 |
|||
|
12年
留言
|
SILICONSOP |
9850 |
2450+ |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
|
3年
留言
|
PHISOP8 |
20000 |
22+ |
只做原装 品质保障 |
|||
|
13年
留言
|
SISOP8P |
3000 |
25+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
|||
|
17年
留言
|
3000 |
24+ |
自己现货 |
||||
|
5年
留言
|
PHISOP8 |
10000 |
25+ |
原装现货假一罚十 |
|||
|
16年
留言
|
PHISOP-8 |
4885 |
2025+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
|
6年
留言
|
PHISOP8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
|
8年
留言
|
VISHAY/威世SMD-8 |
5250 |
23+ |
百分百进口原装环保整盘 |
SI4884采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI4884图片
SI4884BDY-T1-E3价格
SI4884BDY-T1-E3价格:¥3.1762品牌:Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI4884BDY-T1-E3多少钱,想知道SI4884BDY-T1-E3价格是多少?参考价:¥3.1762。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI4884BDY-T1-E3批发价格及采购报价,SI4884BDY-T1-E3销售排行榜及行情走势,SI4884BDY-T1-E3报价。
SI4884中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4884BDY制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V(D-S) MOSFET
SI4884BDY-T1制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V(D-S) MOSFET
SI4884BDY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 12A 2.95W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4884BDY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 16.5A 4.45W 9.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4884DY功能描述:MOSFET SO8 NCH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4884DY-E3功能描述:MOSFET 30V 12A 2.95W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4884DY-T1功能描述:MOSFET 30V 12A 2.95W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4884DY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 12A 2.95W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube


































