| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
10053 |
2105+ |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYSOP3.9mm |
9500 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOP |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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SHARPSOP8 |
257000 |
ROHS全新原装 |
东芝半导体QQ350053121正纳全系列代理经销 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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VISHAYSOP |
10000 |
2003 |
原装现货只有原装 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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VISHAYSOP3.9mm |
36000 |
22+ |
代理渠道力挺长期原装现货 可开增票 |
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深圳市天诺拓展科技有限公司1年
留言
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VISHAYSOP |
10000 |
2003 |
全新原装 支持BOM配单 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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VISHAYSOP8 |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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VISHAYSOP8 |
3715 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市晴轩时代电子有限公司6年
留言
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VISHAYSOP8 |
25000 |
21+ |
原装现货。假一赔十 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY |
60000 |
2021+ |
原装现货，欢迎询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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VISHAYSOP8 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
25000 |
22+ |
只做原装,一站式BOM配单,假一罚十 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
25000 |
22+ |
只做原装,一站式BOM配单,假一罚十 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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VISHAYSOP8 |
35830 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市联成美业电子有限公司年
留言
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VISHAY/威世 |
25000 |
18+ |
询价15919799957 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Vishay(威世)标准封装 |
7348 |
23+ |
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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VISHAYSOP3.9mm |
65300 |
20+ |
一级代理/放心购买! |
SI4842D采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI4842D图片
SI4842DY-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4842DY功能描述:MOSFET 30V 23A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4842DY-E3功能描述:MOSFET 30V 23A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4842DY-T1功能描述:MOSFET 30V 23A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4842DY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 23A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
