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深圳市斌能达电子科技有限公司

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VISHAY/威世SOP8

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深圳市科达星科技有限公司

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深圳市创新迹电子有限公司

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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深圳诚思涵科技有限公司

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SI4835DDY-T1-GE3价格

SI4835DDY-T1-GE3价格：￥1.6489品牌：Vishay

生产厂家品牌为Vishay的SI4835DDY-T1-GE3多少钱，想知道SI4835DDY-T1-GE3价格是多少？参考价：￥1.6489。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI4835DDY-T1-GE3批发价格及采购报价，SI4835DDY-T1-GE3销售排行榜及行情走势，SI4835DDY-T1-GE3报价。

SI4835DY-T1-E3资讯

SI4835DDY-TI-GE3进口原装现货

清腾科技主营：TI,IR,恩XP,ATMEL,ON,AD,MAX等世界知名品牌ic，电子元器件.

SI4835DY-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF

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SI4835DDY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 13A 5.6W 18mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4835DDY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 13A 5.6W 1.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4835DY功能描述:MOSFET Single P-Ch 30V/25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4835DY-E3功能描述:MOSFET 30V 8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4835DY-REVA制造商:Vishay Siliconix 功能描述:CORRECT PART NUMBER IS SI4835BDY-T1 - Rail/Tube

SI4835DY-T1功能描述:MOSFET 30V 8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4835DY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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