| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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13年
留言
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SISOP8 |
3000 |
25+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
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VISHAY/威世SOP-8 |
11200 |
23+ |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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13年
留言
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VISHAYSOP-8 |
2050 |
25+ |
福安瓯为您提供真芯库存,真诚服务 |
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8年
留言
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VISHAYSOP-8 |
5800 |
2023+ |
进口原装,现货热卖 |
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15年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
20300 |
25+ |
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VISHAY/威世原装特价SI4818DY-T1-E3即刻询购立享优惠#长期有货 |
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12年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
9850 |
2450+ |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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13年
留言
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SISOP8 |
4500 |
25+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
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6年
留言
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VISHAY-威世SOP-8.贴片 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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6年
留言
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VISHAY-威世SOP-8.贴片 |
83500 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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15年
留言
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VISHAYSOP08 |
12500 |
22+ |
进口原装 |
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17年
留言
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3000 |
24+ |
自己现货 |
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10年
留言
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VISHAYTO-92 |
86720 |
26+ |
代理授权原装正品价格最实惠 本公司承诺假一赔百 |
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10年
留言
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VISHAY8/SOP |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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7年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
1000 |
25+ |
全新原装正品支持含税 |
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17年
留言
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VISHAYSOP-8 |
80000 |
24+ |
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3年
留言
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VISHATSOP-8 |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保证 |
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8年
留言
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SILICONIXSO-8 |
6010 |
24+ |
只做原装正品 |
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5年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
628 |
06 |
原装现货 |
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10年
留言
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VISHAYSOP-8 |
2960 |
20+ |
诚信交易大量库存现货 |
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7年
留言
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VISHATSOP-8 |
301 |
13+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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SI4818图片
SI4818DY-T1-E3价格
SI4818DY-T1-E3价格:¥8.2224品牌:Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI4818DY-T1-E3多少钱,想知道SI4818DY-T1-E3价格是多少?参考价:¥8.2224。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI4818DY-T1-E3批发价格及采购报价,SI4818DY-T1-E3销售排行榜及行情走势,SI4818DY-T1-E3报价。
SI4818DY-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4818DY功能描述:MOSFET 30V 6.3/9.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4818DY-E3功能描述:MOSFET 30V 6.3/9.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4818DY-T1功能描述:MOSFET 30V 6.3/9.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4818DY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 6.3/9.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4818DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 6.3/9.5A 22/15.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
































