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SI4804CDY-T1-E3_VBSEMI/微碧半导体_MOSFET 2N-CH 30V 8A SO8威雅利发展

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量 价格
1+
  • 厂家型号：

    SI4804CDY-T1-E3

  • 产品分类：

    IC芯片

  • 生产厂商：

    VBsemi

  • 库存数量：

    10005

  • 产品封装：

    SOP8

  • 生产批号：

    21+

  • 库存类型：

    常用库存

  • 更新时间：

    2025-11-19 20:13:00

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  • 规格书下载

原厂料号：SI4804CDY-T1-E3品牌：VBsemi

一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

  • 芯片型号：

    SI4804CDY-T1-E3

  • 规格书：

    下载

  • 企业简称：

    BYCHIP【百域芯】详情

  • 厂商全称：

    BYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

  • 中文名称：

    深圳市百域芯科技有限公司

  • 内容页数：

    4 页

  • 文件大小：

    1602.57 kb

  • 资料说明：

    Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号：

    SI4804CDY-T1-E3

  • 功能描述：

    MOSFET 2N-CH 30V 8A SO8

  • RoHS：

    是

  • 类别：

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列：

    TrenchFET®

  • 产品目录绘图：

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装：

    1

  • 系列：

    - FET

  • 型：

    2 个 N 沟道（双） FET

  • 特点：

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)：

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C：

    3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）：

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs：

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds：

    - 功率 -

  • 最大：

    1.4W

  • 安装类型：

    表面贴装

  • 封装/外壳：

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装：

    PowerPAK? SO-8

  • 包装：

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面：

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称：

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商

  • 企业：

    深圳市威雅利发展有限公司

  • 商铺：

    进入商铺留言

  • 联系人：

    陈经理

  • 手机：

    18938923845

  • 询价：
  • 电话：

    0755-83137789/18938923845

  • 地址：

    深圳市福田区华强北街道华航社区华强北路1019号华强广场A座12K

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