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SI4688DY-T1-GE3中文资料微碧半导体数据手册PDF规格书

SI4688DY-T1-GE3
厂商型号

SI4688DY-T1-GE3

功能描述

N-Channel 20V (D-S) MOSFET

文件大小

1.00768 Mbytes

页面数量

9

生产厂商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企业简称

VBSEMI微碧半导体

中文名称

微碧半导体(台湾)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-20 13:48:00

SI4688DY-T1-GE3规格书详情

FEATURES

• Halogen-free

• TrenchFET® Power MOSFET

• Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation

• 100 Rg Tested

• 100 UIS Tested

APPLICATIONS

• Notebook CPU Core

- High-Side Switch

产品属性

  • 型号:

    SI4688DY-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 12A 2.5W 11mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi/台湾微碧
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