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SI4622DY-T1-E3	文件：295.66 Kbytes Page：15 Pages	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode 文件：295.66 Kbytes 页数：15 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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详细参数

型号：
SI4622DY-T1-E3
功能描述：
MOSFET 30V 8.0A 3.3/3.1W 16/26.4mohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	SI4622DY-T1-E3	VIS	23+	SO-8	33339	原装正品,假一罚十	询价
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