| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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4年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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8年
留言
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VISHAYSOP-8 |
16800 |
24+ |
绝对原装进口现货 假一赔十 价格优势!? |
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18年
留言
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3000 |
24+ |
自己现货 |
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14年
留言
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VISHAYSOP-8 |
16800 |
26+ |
原装现货 |
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1年
留言
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SISOP-8 |
7050 |
2021+ |
原装正品,支持实单 |
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14年
留言
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VISHAYSOP-8 |
2050 |
25+ |
福安瓯为您提供真芯库存,真诚服务 |
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8年
留言
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VISHAY/威世SOP |
5000 |
2025+ |
原装进口,免费送样品! |
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8年
留言
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VISHAYSOP8 |
16800 |
24+ |
绝对原装进口现货 假一赔十 价格优势!? |
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6年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
285 |
00+ |
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12年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOP8 |
8850 |
2450+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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13年
留言
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SISOP8P |
3000 |
25+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
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2年
留言
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VBSEMI/微碧半导体SOP8 |
48000 |
25+ |
本公司 只做全新原装正品 |
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7年
留言
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VISHAY-威世SOP-8.贴片 |
83500 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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7年
留言
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VISHAY-威世SOP-8.贴片 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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14年
留言
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SILICONIXSOP |
8324 |
2402+ |
原装正品!实单价优! |
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14年
留言
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VISHAYSO-8 |
6200 |
17+ |
100%原装正品现货 |
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18年
留言
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3000 |
24+ |
自己现货 |
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7年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
1000 |
25+ |
全新原装正品支持含税 |
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18年
留言
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VISHAYSOP8 |
20000 |
24+ |
SI4480采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI4480图片
SI4480EY-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4480DY功能描述:MOSFET SO8 NCH 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4480DY-E3功能描述:MOSFET 80V 6A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4480DY-T1功能描述:MOSFET 80V 6A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4480DY-T1-E3功能描述:MOSFET 80V 6A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4480DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 80V 6.0A 2.5W 35mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4480EY功能描述:MOSFET 80V 6A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4480EY-E3功能描述:MOSFET 80V 6A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4480EY-T1制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 80-V(D-S) MOSFET
SI4480EY-T1-E3功能描述:MOSFET 80 Volt 6.0 Amp 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube


























