| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市星辰微电科技有限公司3年
留言
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SILICON/芯科QFN20 |
15000 |
22+ |
SILICON/芯科全系列在售,支持订货 |
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深圳市兴联达电子有限公司(原兴达电子)5年
留言
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SILICONSDM |
302 |
1442 |
全新、原装 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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SILICON芯科QFN20 |
29548 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
100586 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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SILICON芯科QFN20 |
33816 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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SILICON/芯科QFN20 |
8000 |
2038+ |
原装正品现货假一罚十 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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10000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)SOP-8 |
9555 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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SILICON LABS/芯科QFN20-TW |
8000 |
2122+ |
进口原装 市场现货 可深圳香港两地交 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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SILICON LABSQFN20 |
24500 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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Silicon LabsQFN20 |
17769 |
2024 |
原装现货,欢迎咨询 |
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深圳市兴灿科技有限公司8年
留言
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SILICON LABS23+ |
16500 |
2021+ |
代理授权直销,原装现货,假一罚十,长期稳定供应,特 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
6599 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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SILICONLABSVFQFN-20 |
6000 |
17+ |
100%原装进口现货,欢迎来电咨询 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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SILICONQFN20 |
2500 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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SILICON LABSQFN20 |
28500 |
23+ |
主营品牌深圳百分百原装现货假一罚十绝对价优 |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
留言
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SkyworksQFN20 |
2500 |
21+ |
全新原装公司现货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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SILICON LABS/芯科QFN20-TW |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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SI4455-C2A-GM价格：￥10.9875品牌：Silicon Labs
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更多Si4455-B1A-FM功能描述:射频收发器 Si4455 EZRadio Transceiver RoHS:否 制造商:Atmel 频率范围:2322 MHz to 2527 MHz 最大数据速率:2000 Kbps 调制格式:OQPSK 输出功率:4 dBm 类型: 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 最大工作温度:+ 85 C 接口类型:SPI 封装 / 箱体:QFN-32 封装:Tray
Si4455-B1A-FMR功能描述:射频收发器 Si4455 EZRadio Transceiver RoHS:否 制造商:Atmel 频率范围:2322 MHz to 2527 MHz 最大数据速率:2000 Kbps 调制格式:OQPSK 输出功率:4 dBm 类型: 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 最大工作温度:+ 85 C 接口类型:SPI 封装 / 箱体:QFN-32 封装:Tray
SI4455-B1A-GM制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:SI4455 EZRADIO TRANSCEIVER - Bulk
SI4455DY制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 150-V(D-S) MOSFET
SI4455DY-T1-E3功能描述:MOSFET 150V 8.9A 5.9W 295mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4455DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 150V 8.9A 5.9W 295mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
