| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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10年
留言
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VISHAYSOP8 |
6800 |
25+ |
全新原装公司现货低价 |
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4年
留言
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VISHAYSOP8 |
8575 |
2550+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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6年
留言
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VISSOP-8 |
500 |
23+ |
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16年
留言
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VISHAYSOP-8 |
50000 |
2024+ |
原装现货 |
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6年
留言
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VISSOP-8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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1年
留言
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VISHAYSOP8 |
963 |
26+ |
原厂渠道 可含税出货,支持一站式配单 |
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3年
留言
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VISHAYSOP8 |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保证 |
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12年
留言
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VISHAYSOP |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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SISINGLE SOP-8 |
11200 |
23+ |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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6年
留言
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Vishay(威世)N/A |
11800 |
26+ |
原装现货,原厂渠道价格优势 |
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10年
留言
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VISHAYSOP8 |
45000 |
25+ |
普通 |
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3年
留言
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Vishay(威世)N/A |
11800 |
2511 |
电子元器件采购降本 30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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16年
留言
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VISHAYSOP |
3568 |
2026+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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19年
留言
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SILICONIX |
19 |
25+ |
公司优势库存 热卖中! |
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6年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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1年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
3982 |
16+ |
全新原装现货,有单必成交 |
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4年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
90000 |
25+ |
全新原装现货 |
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1年
留言
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Vishay(威世)N/A |
50000 |
26+ |
原装 |
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15年
留言
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VISHAYSOP |
6232 |
2602+ |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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1年
留言
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SILICONIXTSSOP-14 |
8000 |
25+ |
原厂原包装,终端BOM表可配单 |
SI4442DY采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI4442DY图片
SI4442DY-T1-E3价格
SI4442DY-T1-E3价格:¥3.2642品牌:Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI4442DY-T1-E3多少钱,想知道SI4442DY-T1-E3价格是多少?参考价:¥3.2642。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI4442DY-T1-E3批发价格及采购报价,SI4442DY-T1-E3销售排行榜及行情走势,SI4442DY-T1-E3报价。
SI4442DY中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4442DY功能描述:MOSFET 30V 22A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4442DY-E3功能描述:MOSFET 30V 22A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4442DY-T1功能描述:MOSFET 30V 22A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4442DY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 22A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4442DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 22A 3.5W 4.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube


























