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SI4420DYPBF中文资料HEXFET\u0001\u0001Power MOSFET数据手册Infineon规格书
技术参数
- 型号：
SI4420DYPBF
- 功能描述：
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 52nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
2016+ |
SOP-8 |
6000 |
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VISHAY |
24+ |
170 |
20000 |
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SILICONIX |
25+23+ |
New |
34807 |
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VISHAY |
06+07 |
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VISHAY |
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SOP-8 |
650 |
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VISHAY |
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SOIC-8 |
12 |
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24+ |
SOP-8 |
7860 |
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VISHAY |
20+ |
SOP-8 |
43000 |
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VISHAY |
22+ |
SOIC-8 |
3000 |
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VISHAY |
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SOIC |
6200 |
100%原装正品现货 |
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