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SI4410DY规格书详情
描述 Description
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
技术参数
- 型号:
SI4410DY
- 功能描述:
MOSFET 30V N-Ch. FET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
2016+ |
SOP8 |
3000 |
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24+ |
SOP-8 |
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IR |
23+ |
SOP8 |
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SOP8 |
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SI |
22+ |
SOP-8 |
3000 |
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FSC |
25+ |
SOP |
4500 |
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Vishay(威世) |
24+ |
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