SI4410DY中文资料N-channel TrenchMOS logic level FET数据手册Nexperia规格书
SI4410DY规格书详情
描述 Description
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
技术参数
- 型号：
SI4410DY
- 功能描述：
MOSFET 30V N-Ch. FET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
23+ |
SOP-8 |
50000 |
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SI |
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SOP-8 |
3000 |
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SILICONIX |
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SILICONIX |
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SOP-8 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
SOP8 |
20000 |
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VISHAY |
SOP8 |
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23+ |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
2023+ |
SOP8 |
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全新原装正品,优势价格 |
询价 |
