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SI4410DY-T1-A-E3

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES    TrenchFETPower MOSFET

文件:61.1 Kbytes 页数:4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI4410DY-T1-E3

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

文件:1.08612 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI4410DY-T1-REVA

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES    TrenchFETPower MOSFET

文件:61.1 Kbytes 页数:4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SQ4410EY

Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET

文件:258.14 Kbytes 页数:10 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SQ4410EY

Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 째C MOSFET

文件:206.98 Kbytes 页数:10 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SQ4410EY

Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 째C MOSFET

文件:240.34 Kbytes 页数:9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

详细参数

  • 型号:

    SI4410DY-T

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 10A 2.5W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SI4410DY-T供应商 更新时间2025-11-4 10:31:00