| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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7年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
100586 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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11年
留言
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ONSEMI |
430000 |
24+ |
原装优势现货 |
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13年
留言
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VISHAYSOP8 |
10000 |
21+ |
全新原装鄙视假货 |
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3年
留言
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VISHAY |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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VISHAY/威世SOP8 |
27500 |
23+ |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
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13年
留言
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SITSSOP-8 |
2987 |
25+ |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
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6年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
70 |
23+ |
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6年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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16年
留言
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VISHAYTSSOP |
4285 |
2025+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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5年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
30000 |
2019+ |
全新原装正品,可开发票,假一赔十 |
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15年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
20300 |
25+ |
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VISHAY/威世原装特价SI4158DY-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货 |
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7年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
5000 |
2025+ |
原装进口,免费送样品! |
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12年
留言
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VISHAYN/A |
8000 |
24+ |
全新原装正品,现货销售 |
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3年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
360000 |
2511 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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15年
留言
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Vishay(威世)N/A |
11800 |
23+ |
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13年
留言
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VISHAYSOP-8 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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VISHAY/威世SOP-8 |
27500 |
23+ |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
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11年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
6540 |
2450+ |
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品 |
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15年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
20300 |
25+ |
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VISHAY/威世原装特价Si4154DY即刻询购立享优惠#长期有货 |
SI415采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI415图片
SI4156DY-T1-GE3价格
SI4156DY-T1-GE3价格:¥2.1935品牌:Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI4156DY-T1-GE3多少钱,想知道SI4156DY-T1-GE3价格是多少?参考价:¥2.1935。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI4156DY-T1-GE3批发价格及采购报价,SI4156DY-T1-GE3销售排行榜及行情走势,SI4156DY-T1-GE3报价。
Si4154DY资讯
SI4151DY-T1-GE3
SI4151DY-T1-GE3
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更多SI4154DY制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V(D-S) MOSFET
SI4154DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 40V 36A 7.8W 3.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4156DY制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V(D-S) MOSFET
SI4156DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 24A 6.0W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4158DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 36.5A 6.0W 2.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

































