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SI4102DY-T1-E3

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 UIS Tested APPLICATIONS • High Frequency Boost Converter • LED Backlight for LCD TV

文件:464.41 Kbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI4123-D-GM

QFN28

SKYWORKS

思佳讯

上传:深圳市安罗世纪电子有限公司

SI4128DY-T1-GE3

SOP

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

上传:深圳市亚泰盈科电子有限公司

SI4133-D-GTR

TSSOP24

SKYWORKS

思佳讯

上传:深圳市安罗世纪电子有限公司

SI4133GM

QFN

SI

详细参数

  • 型号:

    SI4102DY-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 100V 3.8A 4.8W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SI4102DY-T1-E3供应商 更新时间2026-2-9 14:00:00