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深圳市金华微盛电子有限公司

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VISHAY/威世TSOP-6

78550

2019+

原厂渠道 可含税出货

深圳市汇莱威科技有限公司

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VISHAY/威世TSOP6

7906200

深圳市赛能新源半导体有限公司

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VISHAY/威世SOT23-6

60000

21+

只售原装进口正品

深圳诚思涵科技有限公司

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VISHAYTSOP-6

21500

16+

进口原装现货/价格优势!

深圳市高捷芯城科技有限公司

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VISHAY(威世)SOT-23-6

9908

23+

支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。

深圳市河锋鑫科技有限公司

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VISHAY/威世TSOP-6

41120

2019+PB

原装正品 可含税交易

深圳市正纳电子有限公司

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SHARPSOT23-6

257000

ROHS全新原装

东芝半导体QQ350053121正纳全系列代理经销

深圳市硅宇电子有限公司

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Vishay(威世)TSOP-6

58069

2249+

二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口

深圳兆威电子有限公司

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VISHAY/威世6-TSOP

90000

23+

只做原装 !全系列供应可长期供货稳定价格优势!

深圳市旺财半导体有限公司

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VISHAY/威世SOT23-6

35680

23+

只做进口原装QQ:373621633

中天科工半导体(深圳)有限公司

13年 留言
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SI3900DV-T1-GE3

VISHAY/威世TSOP-6

45000

24+

1+
:¥0.888

热卖优势现货

中天科工半导体(深圳)有限公司

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SI3900DV-T1-GE3

Vishay SiliconixSOT-23-6 细型,TSOT-23-6

30000

24+

1+
:¥0.088

晶体管-分立半导体产品-原装正品

深圳市得捷芯城科技有限公司

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Vishay(威世)标准封装

13228

23+

原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期

深圳市汇莱威科技有限公司

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VISHAY/威世TSOP-6

501443

16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量

易创佳业科技(深圳)有限公司

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VISHAY/威世TSOP-6

22820

23+

原装正品,支持实单

深圳市粤骏腾电子科技有限公司

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VISHAY/威世TSOP-6

171

23+

现货供应

深圳市吉银科技有限公司

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SIX

443

1535+

深圳市振鑫微电子科技有限公司

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Vishay(威世)N/A

589610

23+

新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理!

深圳市威雅利发展有限公司

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VISHAY/威世SOT23-6

6305

20+

一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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VISHAY/威世SOT-163

11200

原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO

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SI3900DV价格

SI3900DV价格:¥1.1050品牌:VISHAY

生产厂家品牌为VISHAY的SI3900DV多少钱,想知道SI3900DV价格是多少?参考价:¥1.1050。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI3900DV批发价格及采购报价,SI3900DV销售排行榜及行情走势,SI3900DV报价。

SI3900DV-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF

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SI3900DV制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, 2.4A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drai 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, 2.4A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:2.4A, Drain Source Voltage Vds:20V, On Resistance Rds(on):125mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs:1.5V, No. of Pins:6 , RoHS Compliant: Yes

SI3900DV_08制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 20-V(D-S) MOSFET

SI3900DV_09制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 20-V(D-S) MOSFET

SI3900DV-T1功能描述:MOSFET 20V 2.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI3900DV-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 2.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI3900DV-T1-E3/BKN制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET; TSOP6 20V Dual N-Channel(D-S) Trench

SI3900DV-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 2.4A 1.15W 125mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube