| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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SOP |
31684 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY(威世)SOT-23-6 |
7178 |
23+ |
百分百原装正品,可原型号开票 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)SOT-23-6 |
3022 |
23+ |
特价优势库存质量保证稳定供货 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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TECH PUBLIC(台舟)SOT23-6L |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世TSOP6 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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VISHAY/威世SOT23-6 |
2000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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VISHAYTSOP-6 |
53000 |
17+ |
绝对原装正品现货假一罚十 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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VISAHYSOT163 |
36000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYSOT-163 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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VISHAYSOT-163 |
30000 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TSOP-6 |
6007 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市智亦芯科技有限公司2年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
1286 |
22+ |
正品现货 |
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深圳市羿芯诚电子有限公司11年
留言
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SILICONISOT23 |
2860 |
20+ |
原厂原装正品价格优惠公司现货欢迎查询 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOT23-6 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市凯盛恒创科技有限公司3年
留言
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VISHAYSOT163 |
50000 |
19+ |
全新原装 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT-23-6 |
66000 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
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VISHAYSOT163 |
620 |
22+ |
只做原装 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT23-6 |
600000 |
22+ |
航宇科工半导体-央企优秀战略合作伙伴! |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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17743 |
23+ |
全新原装，有询必回 |
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佛山市芯光达科技有限公司8年
留言
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VISHAY威世半导体6-TSOP |
21838 |
23+ |
进口原装假一赔十可开增值票 |
SI38采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI38图片
SI3831DV价格
SI3831DV价格：￥0.7150品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI3831DV多少钱，想知道SI3831DV价格是多少？参考价：￥0.7150。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI3831DV批发价格及采购报价，SI3831DV销售排行榜及行情走势，SI3831DV报价。
SI3865DDV-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI3801DV-T1功能描述:电源开关 IC - 配电 TSOP-6 12V 2.3A 2W RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5
SI3803DV-T1功能描述:MOSFET TSOP-6 8V 3A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3805DV制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V(D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI3805DV-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 3.3A 1.4W 84mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3805DV-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 3.3A 1.4W 84mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3812DV制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V(D-S) MOSFET With Schottky Diode
SI3812DV_08制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V(D-S) MOSFET With Schottky Diode
SI3812DV-T1功能描述:MOSFET 20V 2.4A 1.15 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3812DV-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 2.4A 1.15 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3812DV-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 2.4A 1.15W 125mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
