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SI3460BDV-T1-GE3中文资料微碧半导体数据手册PDF规格书
SI3460BDV-T1-GE3规格书详情
FEATURES
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET® Power MOSFET
• Low On-Resistance
• 100 Rg Tested
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
• DC/DC Converters, High Speed Switching
产品属性
- 型号：
SI3460BDV-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET 20V 8.0A 3.5W 27mohm @ 4.5V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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VISHAY/威世 |
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VISHAY/威世 |
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