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SI3459BDV-T1-E3

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:108.88 Kbytes 页数:7 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI3459BDV-T1-E3

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:258.089 Kbytes 页数:11 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI3462-E01-GMIC

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上传:深圳庞田科技有限公司

SILICON LABS/芯科

SI3462-E01-GMR

QFN11

SILICON

SI3470A-A01-IMR

SKYWORKS SOLUTIONS

上传:天津市博通航睿技术有限公司

SKYWORKS SOLUTIONS

详细参数

  • 型号:

    SI3459BDV-T1-E

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 2.9A 3.3W 216mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SI3459BDV-T1-E供应商 更新时间2025-11-25 19:31:00