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SI3456DDV-T1-GE3中文资料威世科技数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
SI3456DDV-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET 30V 6.3A 2.7W 40mohm @ 10V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
3694 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
TSOP-6 |
32360 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
SOT-23-6 |
100000 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
SOT163 |
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MATRIXINDUSTRIES |
24+ |
SOT-23-6TSOT-23-6 |
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VISHAY |
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SOT23-6 |
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VISHAY/威世 |
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SOT23-6 |
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VISHAY(威世) |
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TSOP-6 |
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VISHAY/威世 |
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TSOP-6 |
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VISHAY/威世 |
18+ |
SOT23-6 |
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